Ny hukommelsesteknologi er 1.000 gange hurtigere end flash

En ny hukommelsesteknologi giver flash baghjul både på hastighed og levetid. I første omgang kan den bruges til hurtig cache.

Intel og Micron, der i forvejen arbejder sammen om produktion af flashchip, har lanceret en helt ny hukommelsesteknologi, der har fået navnet 3D XPoint (udtales crosspoint), oplyser Intel i en pressemeddelelse.

3D XPoint skal i fremtiden afløse NAND og gøre SSD-drev meget hurtigere og på langt sigt være med til at ændre hele hukommelsesstrukturen i traditionelle systemer som computere, storagesystemer, smartphones og tablets. På kortere sigt forventer firmaerne dog, at den nye teknologi primært vil blive anvendt som cache mellem traditionelle SSD’er og storagesystemer.

Intel har længe flirtet med teknologien, men har ikke selv kunnet producere den, da Intels fabrikker udelukkende producerer chip, der er baseret på CMOS-teknologi. Micron har derimod en lang række produktionsfaciliteter, der producerer chips baseret på andre teknologier.

Allerede for mere end fem år siden har Intel forsket i, hvordan nye processorarkitekturer skal se ud, når de to helt forskellige teknologier som intern lagerplads (DRAM) og langtidslagring (flash og harddiske) lige pludselig smelter sammen til en enkelt, sammenhængende teknologi.

Annonceringen er en teknologiannoncering, og der mangler endnu en lang række detaljer som for eksempel hvilket materialer, der bliver anvendt samt dimensioner for den enkelte celler og forventede leveringsterminer og priser.

3D XPoint, der er mere end 1.000 gange hurtigere end den velkendte flash-teknologi er, ifølge oplysninger fra de to firmaer, allerede i testproduktion.

3D XPoint er en hybridteknologi mellem NAND-flash og traditionel DRAM. 3D XPoint er noget langsommere end DRAM, men med den store fordel, at indholdet bevares under strømafbrydelser. I lighed med DRAM kan de enkelte bit adresseres individuelt i modsætning til NAND-flash, hvor en ændring i en enkelt bit betyder, at en hel datablok først skal slettes og derefter genskrives. Samtidig angiver firmaerne, at levetiden (antallet af skriveoperationer) også er omkring 1.000 gange højere, end det er tilfældet med flash.

Teknologien er ikke ny, men det er første gang, at det er lykkedes at sætte den i masseproduktion. Som du kan se på illustrationen, der viser to lag, består en hukommelsescelle af en selector (markeret med gult) og selve cellen, der er grøn. Disse to dele ligger mellem strømførende baner, der går på kryds og tværs. Ved at variere spændingen over og under cellen, er det muligt at udvælge en enkelt celle, som så kan ændres. Og hele teknologien fungerer, uden at der transistorer involveret i de enkelte celler.

Det er muligt at bygge flere lag oven på hinanden. Selv angiver Intel, at tætheden er cirka 10 gange så høj, som den, man kan opnå i traditionel NAND-flash.

Der følger utvivlsomt flere oplysninger om 3D XPoint i midten af august, når Intel slår dørene op for sit årlige Intel Developer Forum i San Francisco.

Tips og korrekturforslag til denne historie sendes til tip@version2.dk
Kommentarer (2)
sortSortér kommentarer
  • Ældste først
  • Nyeste først
  • Bedste først
Jacob Larsen

I lighed med DRAM kan de enkelte bit adresseres individuelt i modsætning til NAND-flash, hvor en ændring i en enkelt bit betyder, at en hel datablok først skal slettes og derefter genskrives.

Det er ikke en helt korrekt beskrivelse af DRAM. For det første så adresseres DRAM i bytes, ikke bits. For det andet, så vil en ændring i en enkelt bit i DRAM faktisk først læse en row ud i en buffer, hvilket vil slette de originale data i cellerne, så ændres data i bufferen, og til sidst skrives hele blokken tilbage til DRAM. Der hvor der er forskel er at de blokke der slettes og de blokke der skrives/læses har forskellig størrelse i NAND, mens de er ens i DRAM. Samtidig er prisen (både tid og slid) for en sletning/skrivning i NAND væsentlig dyrere end tilsvarende i DRAM, så DRAM kan mappe celler direkte til adresser, mens NAND skal have en masse mapping/remapping for at fungere optimalt.

  • 0
  • 0
Log ind eller Opret konto for at kommentere