Ny hukommelsesteknologi er 1.000 gange hurtigere end flash

29. juli 2015 kl. 11:402
En ny hukommelsesteknologi giver flash baghjul både på hastighed og levetid. I første omgang kan den bruges til hurtig cache.
Artiklen er ældre end 30 dage
Manglende links i teksten kan sandsynligvis findes i bunden af artiklen.

Intel og Micron, der i forvejen arbejder sammen om produktion af flashchip, har lanceret en helt ny hukommelsesteknologi, der har fået navnet 3D XPoint (udtales crosspoint), oplyser Intel i en pressemeddelelse.

3D XPoint skal i fremtiden afløse NAND og gøre SSD-drev meget hurtigere og på langt sigt være med til at ændre hele hukommelsesstrukturen i traditionelle systemer som computere, storagesystemer, smartphones og tablets. På kortere sigt forventer firmaerne dog, at den nye teknologi primært vil blive anvendt som cache mellem traditionelle SSD’er og storagesystemer.

Intel har længe flirtet med teknologien, men har ikke selv kunnet producere den, da Intels fabrikker udelukkende producerer chip, der er baseret på CMOS-teknologi. Micron har derimod en lang række produktionsfaciliteter, der producerer chips baseret på andre teknologier.

Allerede for mere end fem år siden har Intel forsket i, hvordan nye processorarkitekturer skal se ud, når de to helt forskellige teknologier som intern lagerplads (DRAM) og langtidslagring (flash og harddiske) lige pludselig smelter sammen til en enkelt, sammenhængende teknologi.

Artiklen fortsætter efter annoncen

Annonceringen er en teknologiannoncering, og der mangler endnu en lang række detaljer som for eksempel hvilket materialer, der bliver anvendt samt dimensioner for den enkelte celler og forventede leveringsterminer og priser.

3D XPoint, der er mere end 1.000 gange hurtigere end den velkendte flash-teknologi er, ifølge oplysninger fra de to firmaer, allerede i testproduktion.

3D XPoint er en hybridteknologi mellem NAND-flash og traditionel DRAM. 3D XPoint er noget langsommere end DRAM, men med den store fordel, at indholdet bevares under strømafbrydelser. I lighed med DRAM kan de enkelte bit adresseres individuelt i modsætning til NAND-flash, hvor en ændring i en enkelt bit betyder, at en hel datablok først skal slettes og derefter genskrives. Samtidig angiver firmaerne, at levetiden (antallet af skriveoperationer) også er omkring 1.000 gange højere, end det er tilfældet med flash.

Teknologien er ikke ny, men det er første gang, at det er lykkedes at sætte den i masseproduktion. Som du kan se på illustrationen, der viser to lag, består en hukommelsescelle af en selector (markeret med gult) og selve cellen, der er grøn. Disse to dele ligger mellem strømførende baner, der går på kryds og tværs. Ved at variere spændingen over og under cellen, er det muligt at udvælge en enkelt celle, som så kan ændres. Og hele teknologien fungerer, uden at der transistorer involveret i de enkelte celler.

Artiklen fortsætter efter annoncen

Det er muligt at bygge flere lag oven på hinanden. Selv angiver Intel, at tætheden er cirka 10 gange så høj, som den, man kan opnå i traditionel NAND-flash.

Der følger utvivlsomt flere oplysninger om 3D XPoint i midten af august, når Intel slår dørene op for sit årlige Intel Developer Forum i San Francisco.

2 kommentarer.  Hop til debatten
Denne artikel er gratis...

...men det er dyrt at lave god journalistik. Derfor beder vi dig overveje at tegne abonnement på Version2.

Digitaliseringen buldrer derudaf, og it-folkene tegner fremtidens Danmark. Derfor er det vigtigere end nogensinde med et kvalificeret bud på, hvordan it bedst kan være med til at udvikle det danske samfund og erhvervsliv.

Og der har aldrig været mere akut brug for en kritisk vagthund, der råber op, når der tages forkerte it-beslutninger.

Den rolle har Version2 indtaget siden 2006 - og det bliver vi ved med.

Debatten
Log ind eller opret en bruger for at deltage i debatten.
settingsDebatindstillinger
2
3. august 2015 kl. 07:43

Billedet ligner meget en memristor...

Har Intel været ludt snedige at omgå HP's patent?

1
29. juli 2015 kl. 21:55

I lighed med DRAM kan de enkelte bit adresseres individuelt i modsætning til NAND-flash, hvor en ændring i en enkelt bit betyder, at en hel datablok først skal slettes og derefter genskrives.

Det er ikke en helt korrekt beskrivelse af DRAM. For det første så adresseres DRAM i bytes, ikke bits. For det andet, så vil en ændring i en enkelt bit i DRAM faktisk først læse en row ud i en buffer, hvilket vil slette de originale data i cellerne, så ændres data i bufferen, og til sidst skrives hele blokken tilbage til DRAM. Der hvor der er forskel er at de blokke der slettes og de blokke der skrives/læses har forskellig størrelse i NAND, mens de er ens i DRAM. Samtidig er prisen (både tid og slid) for en sletning/skrivning i NAND væsentlig dyrere end tilsvarende i DRAM, så DRAM kan mappe celler direkte til adresser, mens NAND skal have en masse mapping/remapping for at fungere optimalt.