Ny flash gør SSD’er større og hurtigere

4. februar 2016 kl. 14:003
SAN FRANCISCO: Normalt betyder større kapacitet ikke nødvendigvis højere ydeevne. I traditionel flash-hukommelse er der faktisk i visse tilfælde tale om en lavere ydeevne.
Artiklen er ældre end 30 dage
Manglende links i teksten kan sandsynligvis findes i bunden af artiklen.

Samsung vist en løsning på problemet med mismatch mellem kapacitet og ydeevne. Firmaet har nemlig præsenteret en chip i 3D-teknologi med en kapacitet på 256 GB, hvilket svarer til 32 GB med tre bit i hver celle.

Præsentationen skete på ISSCC-konferencen i San Francisco.

Det interessante ved denne chip er, at den er produceret i flere lag, hvilket er et fremskridt fremfor traditionel flash, der kun produceres i et enkelt lag. Tredimensionel flash har været kendt siden 2014, men det nye er, at det er lykkedes at sætte både læse- og skrivehastigheden gevaldigt i vejret, samtidig med at kapaciteten ikke er kompromitteret.

Chippen har en læsehastighed på op til 178 MB/s, samtidig med at skrivehastigheden, som altid har været en achilleshæl, ligger på op til 53,3 MB/s.

Ændring af enkelt bit kræver større datamængde

Flash lider under det generelle problem, at det ikke er muligt at adressere hver enkelt bit eller byte, hvorfor det er nødvendigt at skrive en større datamængde, hvis bare en enkelt bit bliver ændret.

Artiklen fortsætter efter annoncen

På ISSCC blev også præsenteret femskridt inden for andre teknologier, men et står dog klar efter præsentationerne, at der stadig er langt til, at kapacitet og pris nærmer sig flash. Indtil videre er de andre teknologier, som blandt andet omfatter magnetisk ram og resistiv ram (RRAM) henvist til en lille niche.

Problemet lige nu for de andre teknologier er dels at produktionsomkostningerne er høje, og dels at kapaciteterne typisk er flere hundrede gange mindre end de er, når der anvendes flash-teknologi.

På dette års ISSCC blev der ikke introduceret nye hukommelsesteknologier.

For at gøre forskellen helt tydelig, mellem flash og konkurrerende teknologier, blev der også præsenteret en gigantisk flash chip fra Miro og Intel med en kapacitet helt oppe på 768 Gb, hvilket svarer til 96 GB.

Umiddelbart lyder dette måske ikke af meget, men husk på, at f.eks. et microSDXC-kort med en kapacitet på 128 GB er fremstillet af flere chip, som er monteret oven på hinanden. Rent praktisk sker produktionen af SDXC-kort og andre produkter, ved at der fremstilles en række store wafere, der, når de er færdige, bliver slebet ned, så de næsten ingen højde har. Derpå monteres waferne oven på hinanden.

3 kommentarer.  Hop til debatten
Denne artikel er gratis...

...men det er dyrt at lave god journalistik. Derfor beder vi dig overveje at tegne abonnement på Version2.

Digitaliseringen buldrer derudaf, og it-folkene tegner fremtidens Danmark. Derfor er det vigtigere end nogensinde med et kvalificeret bud på, hvordan it bedst kan være med til at udvikle det danske samfund og erhvervsliv.

Og der har aldrig været mere akut brug for en kritisk vagthund, der råber op, når der tages forkerte it-beslutninger.

Den rolle har Version2 indtaget siden 2006 - og det bliver vi ved med.

Debatten
Log ind eller opret en bruger for at deltage i debatten.
settingsDebatindstillinger
3
5. februar 2016 kl. 16:34

Som journalist ville jeg nok bruge Gbyte hhv. Gbit i artikler hvor begge udtryk bruges, så også nye læsere (der ikke lige bider mærke i b vs. B) også kan være med. Evt. GByte/Gbit, så man vænnes til at B=byte og b=bit.

1
4. februar 2016 kl. 18:01

3D-teknologi med en kapacitet på 256 GB, hvilket svarer til 32 GB Menes der 256 Gb svarende til 32GB.

Er der en speciel information i at det går 8b på en B ? Det gentager sig ved 768Gb = 96GB

/Henrik