Ny 20 nanometer DDR4 RAM klar til masseproduktion i 16 og 32 gigabyte-moduler

Elektronikproducenten Samsung er begyndt på masseproduktionen af næste generation af DDR4-hukommelsesmoduler, der både er hurtigere og mere strømbesparende end forgængeren DDR3.

DDR4-RAM er nu sat i masseproduktion af Samsung. Den næste generations hukommelse vil byde på en række forbedringer. Det skriver amerikanske Computerworld.

Sammenlignet med DDR3-RAM har DDR4-hukommelse en højere ydeevne, stabilitet og bruger samtidig mindre strøm.

Elektronikproducenten regner med at rammene vil blive en fast del af servere i næstegenerations datacentre. Amerikanske Computerworld understreger dog, at der har været sået tvivl om, hvorvidt markedet er klar til at bevæge sig væk fra DDR3-ram, som nye produkter stadig designes efter.

Ifølge Samsung vil tilgængeligheden af 4-gigabit DDR4-enheder, der bruger 20-nanometer processorteknologier, skabe en efterspørgsel for 16 og 32 gigabyte hukommelsesmoduler.

De masseproducerede DDR4-RAM har en overførselshastighed på 2.667 megabit i sekundet - 1,25 gange mere end samme klasse i DDR3-RAM samtidig med en strømbesparelse på mere end 30 procent, lyder det fra Samsung.

Opdateret 11.57: Dum faktor 1000-fejl i sidste afsnit rettet.

Tips og korrekturforslag til denne historie sendes til tip@version2.dk
Kommentarer (3)
sortSortér kommentarer
  • Ældste først
  • Nyeste først
  • Bedste først
Log ind eller Opret konto for at kommentere