Shockley, William B.

1910-1989. Fysiker (med speciale i elektronernes adfærd i faste stoffer), født i England, uddannet og bosat i USA. Shockley var i perioden 1936-1955 ansat ved Bell Labs, hvor han var leder af den forskningsgruppe, der i 1947 gjorde dét, der senere er blevet kaldt "århundredets opdagelse", transistoren.

Forskningsgruppen bestod foruden Shockley af fysikerne Walter Brattain og John Bardeen, og det var reelt de to sidstnævnte, der fik patent på verdens første transistor: punkt-kontakt transistoren, demonstreret første gang 23. december 1947. Denne transistor bestod i korte træk af en række elektroder, der omhyggeligt var anbragt på et halvleder-materiale, hvor materialets strømbærende evne blev forstærket af positive ladningsbærere (huller, dvs. underskud af elektroner). Transistortypen fik aldrig den store udbredelse, idet den var vanskelig at konstruere og dermed at masseproducere.

Samtidig videreudviklede Shockley transistor-konceptet og skabte den såkaldte fladetransistor, hvor forstærkningen af et elektrisk signal sker i selve halvledermaterialet. Denne transistortype, færdigkonstrueret i 1951, blev bestemmende for hele den moderne elektronikindustri.

Shockley, Brattain og Bardeen modtog i 1956 Nobelprisen i fysik for deres samlede udviklingsarbejder på transistorområdet.